這時，一直沒說話的夏培肅開口道：“龐總，你的意思是，星環科技未來的發展方向是開發一種全新的互聯網終端，並且依靠這種終端，支撐起一個全新的係統和指令集架構體係，並且形成生態閉環？”
龐學林笑著點了點頭，說道：“沒錯，就是這個意思。”
夏培肅皺眉道：“如果這樣的話，那段時間內，海思半導體隻有投入，沒有產出，你能撐多久？”
龐學林微微一笑，說道：“這個不難，華威接下來準備進軍移動通信運營商業務，有很多芯片都需要從國外采購，海思半導體可以承接部分芯片比如DSP芯片，ASIC芯片，FPGA芯片等等的研發工作。另外，在消費者業務領域，我們還準備做快閃儲存器以及第二代同步動態隨機存取內存。”
“快閃儲存？第二代同步動態隨機存取內存？”
夏培肅和倪光南對視一眼，均吃了一驚。
快閃儲存，指的就是閃存。
在這個時代，這兩項技術都尚未完全成熟。
1984年，東芝公司的舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器的概念。
與傳統電腦內存不同，閃存的特點是非易失性，其記錄速度也非常快。
英特爾是世界上第一個生產閃存並將其投放市場的公司。
1988年，英特爾公司推出了一款256K bit閃存芯片。
它如同鞋盒一樣大小，並被內嵌於一個錄音機裏。
後來，英特爾發明的這類閃存被統稱為NOR閃存。它結合EPROM（可擦除可編程隻讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程隻讀存儲器）兩項技術，並擁有一個SRAM接口。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。
其基本單元電路（存儲細胞），常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。
它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。